職位描述
光刻工藝顯影工藝曝光工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
【工作內(nèi)容】
- 負(fù)責(zé)光刻工藝流程的優(yōu)化與管理，提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率；
- 指導(dǎo)和監(jiān)督光刻設(shè)備的操作與維護(hù)，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行；
- 協(xié)同研發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行新工藝的導(dǎo)入與驗(yàn)證，推動(dòng)技術(shù)升級(jí)；
- 制定并執(zhí)行光刻工藝相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程（SOP），保障生產(chǎn)合規(guī)性。
【任職要求】
- 本科及以上學(xué)歷，材料科學(xué)、微電子、化學(xué)工程等相關(guān)專業(yè)；
- 5年以上光刻工藝相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)，3年以上團(tuán)隊(duì)管理經(jīng)驗(yàn)；
- 熟悉光刻設(shè)備及工藝流程，具備較強(qiáng)的技術(shù)分析與問題解決能力；
- 具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力和責(zé)任心，能適應(yīng)高強(qiáng)度工作節(jié)奏。
- 負(fù)責(zé)光刻工藝流程的優(yōu)化與管理，提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率；
- 指導(dǎo)和監(jiān)督光刻設(shè)備的操作與維護(hù)，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行；
- 協(xié)同研發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行新工藝的導(dǎo)入與驗(yàn)證，推動(dòng)技術(shù)升級(jí)；
- 制定并執(zhí)行光刻工藝相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程（SOP），保障生產(chǎn)合規(guī)性。
【任職要求】
- 本科及以上學(xué)歷，材料科學(xué)、微電子、化學(xué)工程等相關(guān)專業(yè)；
- 5年以上光刻工藝相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)，3年以上團(tuán)隊(duì)管理經(jīng)驗(yàn)；
- 熟悉光刻設(shè)備及工藝流程，具備較強(qiáng)的技術(shù)分析與問題解決能力；
- 具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力和責(zé)任心，能適應(yīng)高強(qiáng)度工作節(jié)奏。
工作地點(diǎn)
麗水蓮都區(qū)南明山街道七百秧街
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職位發(fā)布者
林新森/招聘專員
立即溝通
浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行，計(jì)劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級(jí)結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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