職位描述
離子注入工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
職責(zé)描述：
1.對半導(dǎo)體器件（SBD、MOS等）原理和工藝流程有深入了解，掌握半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)的工藝標(biāo)準(zhǔn)
2.有較強(qiáng)的問題分析和質(zhì)量改善能力，能針對產(chǎn)品不良制定相應(yīng)的改善對策
3.掌握注入工藝，了解半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)和工作原理
任職要求：
1.FAB廠相關(guān)工序工作3年以上
2.掌握注入工藝即可
職位福利：五險一金、績效獎金、帶薪年假、包住、定期團(tuán)建、年底雙薪、大牛帶隊、餐補(bǔ)
工作地點
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微項目中電二公司項目部
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職位發(fā)布者
葉先生/招聘專員
昨日活躍立即溝通
浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進(jìn)行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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