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更新于 12月8日

注入工藝工程師

1-2萬(wàn)·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 3-5年
  • 大專
  • 全職
  • 招1人

職位描述

離子注入工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
職責(zé)描述:
1.對(duì)半導(dǎo)體器件(SBD、MOS等)原理和工藝流程有深入了解,掌握半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)的工藝標(biāo)準(zhǔn)
2.有較強(qiáng)的問(wèn)題分析和質(zhì)量改善能力,能針對(duì)產(chǎn)品不良制定相應(yīng)的改善對(duì)策
3.掌握注入工藝,了解半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)和工作原理
任職要求:
1.FAB廠相關(guān)工序工作3年以上
2.掌握注入工藝即可
職位福利:五險(xiǎn)一金、績(jī)效獎(jiǎng)金、帶薪年假、包住、定期團(tuán)建、年底雙薪、大牛帶隊(duì)、餐補(bǔ)

工作地點(diǎn)

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微項(xiàng)目中電二公司項(xiàng)目部

職位發(fā)布者

葉先生/招聘專員

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公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行,計(jì)劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬(wàn)余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬(wàn)余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級(jí)結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬(wàn)片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬(wàn)片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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