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更新于 12月8日

擴散工藝主管

2-3萬·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

電子/半導(dǎo)體/集成電路
【工作內(nèi)容】
- 定期對現(xiàn)有擴散工藝進(jìn)行評估,并提出改進(jìn)措施,提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率;
- 組織并落實工藝、設(shè)備相關(guān)的優(yōu)化改進(jìn)項目;
- 制定詳細(xì)的擴散工藝操作規(guī)范,培訓(xùn)員工正確使用設(shè)備及工藝流程;
- 組織制定并批準(zhǔn)符合體系的各類文件,組織監(jiān)督執(zhí)行;
- 主持部門日常管理工作,維護(hù)部門正常穩(wěn)定運行;
- 部門成員日常管理與考核評定;
【任職要求】
- 本科以上學(xué)歷,微電子、物理學(xué)、等相關(guān)專業(yè);
- 擁有5年以上半導(dǎo)體行業(yè)擴散工藝相關(guān)工作經(jīng)驗,具備團隊管理經(jīng)驗者優(yōu)先考慮;
- 熟悉半導(dǎo)體器件原理與擴散工藝
-掌握ISO9001、IATF16949等質(zhì)量體系專業(yè)知識
-熟悉設(shè)備方面的結(jié)構(gòu)及工作原理
-熟練操作辦公自動化軟件

工作地點

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

職位發(fā)布者

葉先生/招聘專員

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公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進(jìn)行,計劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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