工作內容:
1、負責各種功率器件(IGBT,MOSFET,F(xiàn)RD等)的技術開發(fā)工作;
2、負責功率芯片的仿真,版圖設計及工藝設計;
3、負責產品開發(fā)試驗的制定及實施;
4、負責產品測試規(guī)范的制定,測試實驗,測試數(shù)據(jù)分析及失效分析;
5、配合終端要求解決客戶反饋的技術問題;
6、根據(jù)行業(yè)及技術前沿,負責各種新技術,新產品的開發(fā)工作;
7、完成領導交辦的其他工作。
任職資格:
基本要求(學歷、專業(yè)、年齡):
本科及以上學歷,微電子/物理/電子/半導體等相關專業(yè)優(yōu)先,25-35歲。
從業(yè)經歷:
3年以上經驗,有產品或項目開發(fā)經驗,熟悉半導體器件和工藝技術。
專業(yè)技能:
1、熟悉IGBT、MOS等功率半導體器件的性能和特點;
2、掌握一種以上器件仿真及版圖設計工具;
3、精通電子技術,有扎實的電子電路理論基礎。
4、具有良好的溝通能力和團隊協(xié)作能力,英語熟練。
5、具備較強的數(shù)據(jù)分析能力,能熟練使用相關軟件。
職位福利:五險一金、績效獎金、節(jié)日福利、周末雙休、不加班、員工食堂