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更新于 10月17日
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TD 芯片新技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理(J10597)

3-6萬(wàn)·15薪
  • 武漢江夏區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

器件設(shè)計(jì)SIC
崗位職責(zé):
1.根據(jù)國(guó)際前沿技術(shù)和市場(chǎng)熱點(diǎn)，負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench研發(fā)方向制定；
2.根據(jù)公司產(chǎn)品路譜和發(fā)展需求，負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench產(chǎn)品開(kāi)發(fā)；
3.負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench產(chǎn)品IP建設(shè)，結(jié)構(gòu)、版圖設(shè)計(jì)，負(fù)責(zé)參數(shù)仿真和可靠性設(shè)計(jì)；
4.負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench Mos 工藝流程設(shè)計(jì)，配合Fab拉通工藝；
5.負(fù)責(zé)內(nèi)外部研發(fā)項(xiàng)目申報(bào)，執(zhí)行，結(jié)項(xiàng)工作。
任職要求:
1.學(xué)歷、專業(yè)：碩士及以上學(xué)歷，電子、通信、微電子、物理等專業(yè)背景；
2.工作經(jīng)驗(yàn)：碩士6年以上，本科10年以上相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)SJ/Trench國(guó)際前沿技術(shù)有深入的了解和研究，具有創(chuàng)造性思維；
3.專業(yè)知識(shí)及技能：掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件結(jié)構(gòu)原理，并有較深理解，掌握TCAD和版圖相關(guān)工具，高壓器件經(jīng)驗(yàn)最優(yōu)；
4.通用能力及素質(zhì)：良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書(shū)面表達(dá)能力，良好文獻(xiàn)檢索能力，較強(qiáng)的分析和解決問(wèn)題能力；
5.語(yǔ)言要求：良好的英語(yǔ)讀、寫(xiě)能力，CET6及以上。

工作地點(diǎn)

江夏區(qū)武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)(長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體)

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長(zhǎng)飛先進(jìn)是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的企業(yè)，具備從外延生長(zhǎng)、器件與模塊設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國(guó)內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，可提供從工業(yè)級(jí)到車規(guī)級(jí)的SiC SBD、MOSFET全系列產(chǎn)品，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
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