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更新于 9月5日

良率提升工程師

1.5-3萬(wàn)·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 3-5年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

芯片元器件
工作職責(zé):
1.負(fù)責(zé)建立監(jiān)控體系,實(shí)時(shí)監(jiān)控產(chǎn)品制程異常和產(chǎn)品缺陷;
2.能撰寫(xiě)標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程以及操作介紹;
3.追蹤并監(jiān)控工藝部對(duì)缺陷事件的解決過(guò)程以及結(jié)果;
4.能獨(dú)立建立缺陷掃描程式根據(jù)不同工序及工藝進(jìn)行掃描手法優(yōu)化;
5.追蹤并監(jiān)控工藝部對(duì)缺陷事件的解決過(guò)程以及結(jié)果;
6.能跨部門(mén)會(huì)議溝通針對(duì)wafer破片,返工,污染等異常制定管理及仲裁規(guī)則
任職資格
1.本科微電子、物理或半導(dǎo)體材料專業(yè)學(xué)歷;
2.8吋及3年以上半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域工作經(jīng)驗(yàn);
3.熟悉KLA系列設(shè)備或國(guó)內(nèi)相關(guān)缺陷掃描設(shè)備優(yōu)先;
4.有良好的溝通能力,以及主動(dòng)學(xué)習(xí)、自我激勵(lì)和團(tuán)隊(duì)精神

工作地點(diǎn)

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

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廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行,計(jì)劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬(wàn)余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬(wàn)余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級(jí)結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬(wàn)片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬(wàn)片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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