職位描述
電子/半導體/集成電路
工作職責：
1、負責模擬/存儲器/MCU 相關產(chǎn)品后端版圖設計，優(yōu)化和驗證；
2、精通各種匹配，規(guī)劃電源地及關鍵信號/ESD/Latch_up等防護
3、熟練使用Calibre等工具進行物理驗證（DRC，LVS，ERC，ANT）和寄生參數(shù)提取。
4、產(chǎn)品版圖設計完成后與前端設計人員的 REVIEW ，撰寫版圖設計相關文檔，總結(jié)設計經(jīng)驗等
任職要求：
1、微電子、電子工程等相關專業(yè)，本科及以上學歷，3-5年模擬版圖設計經(jīng)驗；
2、熟練掌握Candence Virtuoso、Calibre等主流工具；
3、理解匹配性，噪聲隔離，Latch_up效應，ESD防護，IR_drop
4、熟悉55/40nm/28nm制程，有MCU或存儲類芯片相關項目版圖設計的經(jīng)驗者優(yōu)先
5、具有良好的團隊合作精神、溝通能力和責任心
1、負責模擬/存儲器/MCU 相關產(chǎn)品后端版圖設計，優(yōu)化和驗證；
2、精通各種匹配，規(guī)劃電源地及關鍵信號/ESD/Latch_up等防護
3、熟練使用Calibre等工具進行物理驗證（DRC，LVS，ERC，ANT）和寄生參數(shù)提取。
4、產(chǎn)品版圖設計完成后與前端設計人員的 REVIEW ，撰寫版圖設計相關文檔，總結(jié)設計經(jīng)驗等
任職要求：
1、微電子、電子工程等相關專業(yè)，本科及以上學歷，3-5年模擬版圖設計經(jīng)驗；
2、熟練掌握Candence Virtuoso、Calibre等主流工具；
3、理解匹配性，噪聲隔離，Latch_up效應，ESD防護，IR_drop
4、熟悉55/40nm/28nm制程，有MCU或存儲類芯片相關項目版圖設計的經(jīng)驗者優(yōu)先
5、具有良好的團隊合作精神、溝通能力和責任心
工作地點
上海浦東新區(qū)集鼎天地8號樓1樓
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普冉半導體(上海)股份有限公司普冉半導體（上海）股份有限公司是專注于汽車、工業(yè)及消費類應用的超低功耗Flash存儲器、高安全Flash存儲器、高可靠性EEPROM存儲器、直流電機驅(qū)動及高性能磁傳感芯片的無自有晶圓廠半導體設計公司。公司成立于2012年，總部位于上海張江高科技園區(qū)，在深圳南山科技園新區(qū)設有銷售和現(xiàn)場應用服務與支持中心。作為半導體行業(yè)創(chuàng)新者，普冉推出業(yè)界領先的55nm超低功耗NOR Flash Memory，具備100nA休眠功耗和小于5mA擦寫讀功耗，廣泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家電、太陽能和車載娛樂領域。新一代110nm非易失性EEPROM存儲器具備國內(nèi)領先的400萬次擦寫壽命、6KV靜電防護能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗，在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制領域廣泛應用。普冉配合國內(nèi)領先半導體企業(yè)開發(fā)的40-55nm高安全Flash產(chǎn)品也成為國內(nèi)金融IC產(chǎn)品打破國外壟斷的先行者和貢獻者。普冉致力于成為世界領先的利基市場非易失存儲器芯片及新型存儲器芯片設計公司。
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