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更新于 6月6日

離子注入設備工程師

1-2萬
  • 徐州賈汪區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

離子注入設備電子/半導體/集成電路
崗位職責: 1、配合設備商進行離子注入機,PVD,PECVD等設備的安裝調試及維修保養(yǎng),遇到問題及時與設備商聯系有關維修工作; 2、負責制定設備維護保養(yǎng)計劃,并按時進行設備檢測及維護,規(guī)劃日常相關備件整理; 3、參與設備的性能優(yōu)化及操作流程改善; 4、制定設備管理制度及設備維護的操作規(guī)范; 5、服從領導安排; 任職要求: 1、本科以上學歷,物理,化學,材料,機械,電子,微電子及相關專業(yè); 2、五年以上離子注入設備、PVD、CVD方面工作經驗,熟悉設備維修工作能力; 3、具有很強的工作協調能力,并積極地發(fā)現問題解決問題; 4、有氮化鎵工藝設備維護工作經驗者優(yōu)先; 5、具有高度的責任心、很強的團隊意識、創(chuàng)新意識,具有良好的抗壓能力、學習能力、溝通能力和表達能力; 6、誠實正直,善于思考,做事嚴謹,勇于承擔責任;

工作地點

徐州賈汪區(qū)江蘇鎵宏半導體有限公司

職位發(fā)布者

祁霄霄/HR

當前在線
立即溝通
公司Logo江蘇鎵宏半導體有限公司
江蘇鎵宏半導體有限公司成立于2021年,是香港上市公司宏光半導體投資的全資子公司。項目發(fā)起人為氮化鎵領域領軍人物,以業(yè)內領先的氮化鎵功率器件和其全新應用為拳頭產品,充分發(fā)揮國際領先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產制造技術的優(yōu)勢,匯集供應鏈資源、核心技術、產品制造、核心客戶、資本市場和地方政府支持等關鍵資源,組織籌建新型的IDM產品平臺,助力中國在第三代半導體產業(yè)領域的跨越式發(fā)展。公司租賃原晶旺光電生產車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設2條氮化鎵功率器件芯片生產中試線,用于研發(fā)和生產氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關應用。已經投資3.3億元,其中2億元用于廠房升級改造和設備采購,包括金屬有機化合物氣相沉積系統、全自動光刻機、等離子體刻蝕機、涂膠顯影機、干法刻蝕機等設備200余臺套,年生產氮化鎵功率器件芯片8000萬顆。公司核心團隊結合了掌握氮化鎵工藝核心技術的美國團隊和具有豐富的硅集成電路生產管理經驗的臺灣團隊,擁有全面駕馭產業(yè)和市場發(fā)展的實力。公司將依托核心團隊對第三代半導體氮化鎵功率器件設計、外延生長、芯片工藝、封裝測試、模組系統等關鍵技術的研發(fā)經驗,以及國際半導體企業(yè)成熟的管理體系相結合,建立氮化鎵功率芯片國產化的技術開發(fā)平臺。
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