1.負責納米探針的MEMS工藝全流程開發(fā)與優(yōu)化,主導(dǎo)光刻、刻蝕、薄膜沉積、結(jié)構(gòu)釋放、鍵合等關(guān)鍵工藝方案的制定、調(diào)試與量產(chǎn)轉(zhuǎn)化。
2.負責攻克核心工藝難題,重點解決探針針尖形貌控制、應(yīng)力翹曲、釋放粘連等瓶頸問題,并引入如原子層沉積(ALD)等新工藝新材料以提升產(chǎn)品良率與一致性。
3.負責建立工藝-性能數(shù)據(jù)閉環(huán),通過DOE實驗分析關(guān)鍵參數(shù)(如刻蝕深度對機械性能的影響),驅(qū)動工藝迭代;并全程監(jiān)控流片,及時排查與糾正過刻蝕、膜層缺陷等異常。
4.負責跨環(huán)節(jié)協(xié)同與技術(shù)沉淀,協(xié)調(diào)封裝與測試部門,解決鍵合失效、封裝開裂等應(yīng)力敏感問題;同時編制SOP、失效模式分析等全套工藝文檔。
5.負責跟蹤MEMS前沿技術(shù),調(diào)研如納米級干法刻蝕、晶圓級真空封裝等方向,為產(chǎn)品技術(shù)升級提供建議。
任職資格:
1.微電子、MEMS、半導(dǎo)體材料、物理等相關(guān)背景;
2.3年以上MEMS工藝開發(fā)經(jīng)驗,有納米級器件(如探針、傳感器、射頻開關(guān))流片或量產(chǎn)經(jīng)歷者優(yōu)先;
3.工藝技術(shù):精通MEMS全流程工藝(光刻、刻蝕、薄膜沉積、釋放、鍵合),熟悉納米級結(jié)構(gòu)加工關(guān)鍵點(如高深寬比刻蝕、低損傷釋放);
4.數(shù)據(jù)分析:熟練使用SEM、臺階儀、四探針等檢測工具,能通過JMP/Excel等軟件進行工藝數(shù)據(jù)分析與DOE優(yōu)化;
5.工具軟件:熟悉L-Edit/CAD等版圖設(shè)計工具,掌握有限元仿真(如應(yīng)力分析)者優(yōu)先;
6.英語能力:可閱讀英文技術(shù)文獻及FAB工藝規(guī)范。