崗位職責:
1.新型DRAM陣列存儲架構開發(fā);
2.新型DRAM晶體管/電容材料研發(fā);
3.新型器件設計及性能優(yōu)化;
4.關鍵工藝及工藝集成技術研發(fā);
5.TEG設計、外圍電路設計、結構/電學測試方案開發(fā);
6.材料、工藝及器件仿真。
任職要求:
1.碩士及以上學歷,半導體、物理學、材料科學與工程、微電子等專業(yè);
2.至少4年以上半導體行業(yè)材料、工藝或器件等經驗,熟悉半導體研發(fā)領域前沿技術,熟悉半導體芯片產品定義、開發(fā)到量產的流程;
3.熟練掌握半導體物理、半導體器件和半導體芯片研發(fā)相關知識,擁有3年以上工藝整合或器件開發(fā)經驗 ;
4.擁有半導體先進技術研發(fā)或器件設計開發(fā)經驗;
5.熟練使用辦公和JMP等數據分析軟件, 英語流利。