崗位職責(zé):
1. 進(jìn)行基于DRAM制程的HKMG工藝平臺(tái)整合研發(fā)工作。與Design和Device Team根據(jù)高性能DRAM的產(chǎn)品需求,提煉出對(duì)器件的關(guān)鍵尺寸要求,電性要求和可靠性要求;領(lǐng)導(dǎo)Device以及Module等研發(fā)部門通過技術(shù)創(chuàng)新,新機(jī)臺(tái)引進(jìn),開發(fā)出適用于DRAM工藝平臺(tái)high thermal budget特點(diǎn)的器件。
2. 開發(fā)HKMG 工藝的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 應(yīng)用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平臺(tái),同時(shí)整合優(yōu)化制程與前后道工藝實(shí)現(xiàn)兼容,最終實(shí)現(xiàn)高速低漏電的電學(xué)性能,高可靠性的終端產(chǎn)品要求。
3. 新產(chǎn)品導(dǎo)入以及良率提升。 從與design合作開始參與新產(chǎn)品設(shè)計(jì)評(píng)估;與tape out team 合作設(shè)計(jì)testkey, tape out光罩;與制程和生產(chǎn)部門合作pilot run;不斷進(jìn)行工藝整合的優(yōu)化升級(jí),提升電學(xué)性能,可靠性能以及良率
任職要求:
1.碩士及以上學(xué)歷,微電子、集成電路、化學(xué)、物理、材料等相關(guān)專業(yè)。
2.有扎實(shí)的半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)知識(shí)。
3.至少3年以上PI、 PE、YE相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。
4.理解復(fù)雜的問題,推導(dǎo)、解釋為解決這些問題而采取的行動(dòng),并推動(dòng)團(tuán)隊(duì)執(zhí)行。
5.熟悉Excel數(shù)據(jù)處理,對(duì)C++程序有基本了解。