崗位職責(zé):
1、高深寬比通孔技術(shù)開(kāi)發(fā): 1)主導(dǎo)40nm及以下節(jié)點(diǎn)的高深寬比的Contact/Via/Hole工藝整合研發(fā); 2)優(yōu)化光刻-刻蝕-填充-平坦化全流程工藝,解決關(guān)鍵缺陷(孔洞,縫隙,過(guò)度侵蝕等).
2、工藝窗口提升: 1)設(shè)計(jì)DOE實(shí)驗(yàn),協(xié)同OPC,光刻,刻蝕,薄膜,CMP團(tuán)隊(duì),提升高深寬比通孔的均勻性,良率及可靠性。
3、跨部門(mén)技術(shù)整合: 1)與器件研發(fā)團(tuán)隊(duì)合作,優(yōu)化Contact/Via/Hole結(jié)構(gòu),從而滿足器件性能指標(biāo); 2)協(xié)同設(shè)計(jì)部門(mén)制定Design Rules.
4、量產(chǎn)轉(zhuǎn)移支持: 主導(dǎo)新工藝從研發(fā)線向量產(chǎn)線的轉(zhuǎn)移,建立管控標(biāo)準(zhǔn)(SP C)和故障分析流程。
任職要求:
1、學(xué)歷:碩士及以上學(xué)歷,微電子,光學(xué)工程,物理,材料等相關(guān)專業(yè)。
2、工作經(jīng)驗(yàn):
1)5年以上半導(dǎo)體工藝整合/研發(fā)經(jīng)驗(yàn),必須具備12英寸晶圓廠40nm及以下節(jié)點(diǎn)實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn);
2)至少主導(dǎo)過(guò)Contact/Via/Hole模塊中任一環(huán)節(jié)的工藝開(kāi)發(fā)(OPC,光刻,刻蝕,ALD填充, CMP);
3)熟練使用檢測(cè)分析工具:SEM/TEM剖面分析,EDX成分檢測(cè),缺陷掃描(KLA)等;
4)有OPC/DUV immersion工藝經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮