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職位要求：
1. 微電子/電子工程/集成電路設計相關(guān)專業(yè)本科及以上學歷；
2. 3年以上非易失性存儲器（NOR Flash/NAND Flash/EEPROM/ReRAM/MRAM）電路設計經(jīng)驗、有Memory Design經(jīng)驗亦可；
3. 深入理解半導體器件物理和CMOS工藝，熟悉NOR Flash操作原理；
4. 具有高壓電路、靈敏放大器、模擬/數(shù)字控制邏輯等周邊電路的設計和仿真經(jīng)驗；
5. 熟練使用Cadence Virtuoso，HSPICE等EDA工具；
6. 具有良好的團隊合作精神、溝通能力和解決問題的能力；
7. 有在先進工藝節(jié)點設計NOR Flash的經(jīng)驗優(yōu)先考慮。