崗位職責(zé):
1.提供半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN)器件模型開發(fā)和優(yōu)化的解決方案,確保模型的準(zhǔn)確性和可靠性;
2.提供器件測(cè)試方案,包括I-V測(cè)試、連續(xù)波(CW)和脈沖S參數(shù)測(cè)試,功率測(cè)試、噪聲測(cè)試以及溫度相關(guān)的特性測(cè)試等;
3.深度參與跨部門合作,提供建模支持,提升器件良率和優(yōu)化模型精度,探索新型建模技術(shù)和方法;
4.撰寫詳細(xì)的技術(shù)文檔,記錄建模過程、測(cè)試結(jié)果、模型參數(shù)等關(guān)鍵信息;建立及優(yōu)化器件建模相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)流程。
5.完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其他任務(wù)。
崗位要求:
1. 博士及以上學(xué)歷,電子工程、半導(dǎo)體物理、微電子學(xué)或相關(guān)專業(yè),具備扎實(shí)的半導(dǎo)體專業(yè)理論基礎(chǔ)。
2. 有半導(dǎo)體砷化鎵和氮化鎵器件建模相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn),具備獨(dú)立承擔(dān)項(xiàng)目或關(guān)鍵任務(wù)的能力,能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境中解決實(shí)際問題。
3.精通半導(dǎo)體器件物理原理,尤其是砷化鎵和氮化鎵器件,深入理解其工作機(jī)制、特性以及與工藝的關(guān)聯(lián)性。
4.熟練掌握IC-CAP、MQA、ADS、Ansys等主流的半導(dǎo)體器件建模與仿真軟件,能夠運(yùn)用這些工具進(jìn)行高效的模型開發(fā)和分析。
5.具備豐富的射頻器件測(cè)試經(jīng)驗(yàn),熟悉各類探針臺(tái)的在片射頻器件建模參數(shù)表征方法,以及Load-Pull等射頻儀器儀表的操作和使用,能夠準(zhǔn)確獲取、分析、處理測(cè)試數(shù)據(jù)。
6.精通各種工藝器件模型建模技術(shù),豐富的模型建模經(jīng)驗(yàn),能從數(shù)學(xué)公式中準(zhǔn)確分析影響模型精度的根源,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的模型建模。
7.具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神,較強(qiáng)的英語讀寫能力,擁有較強(qiáng)的學(xué)習(xí)能力和創(chuàng)新思維。