崗位職責(zé):
1、設(shè)計(jì)砷化鎵、氮化鎵和磷化銦基射頻功率放大器、低噪聲放大器、開關(guān)等芯片
2、進(jìn)行電路仿真、版圖設(shè)計(jì)和后仿真驗(yàn)證
3、研究新的電路拓?fù)浜驮O(shè)計(jì)技術(shù),提高芯片性能
4、研究新的電路拓?fù)浜驮O(shè)計(jì)技術(shù),提高芯片性能
5、與工藝工程師合作,確保設(shè)計(jì)與工藝的兼容性
6、領(lǐng)導(dǎo)安排的其他事宜
崗位要求:
1、本科及以上學(xué)歷,5年以上化合物半導(dǎo)體射頻芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),至少3年砷化鎵射頻芯片設(shè)計(jì)的實(shí)際項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),具有氮化鎵或磷化銦射頻芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先
2、本科及以上學(xué)歷,電子工程、微電子學(xué)或相關(guān)專業(yè)背景
3、精通射頻和微波電路理論
4、深入了解砷化鎵、氮化鎵和磷化銦等化合物半導(dǎo)體的特性和工藝
熟悉功率放大器、低噪聲放大器、混頻器、開關(guān)等射頻電路的設(shè)計(jì)
精通 ADS、Cadence 等 EDA 工具