崗位職責:
1.負責GaN、GaAs射頻微波器件研發(fā),根據(jù)市場及客戶需求,開展外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、關(guān)鍵工藝開發(fā)等工作;
2.開展器件電熱仿真、電學(xué)分析、可靠性機理研究;
3.協(xié)助產(chǎn)線開展產(chǎn)品不良分析及解決、良率的提升;
4.負責射頻微波器件技術(shù)調(diào)研,開展器件新技術(shù)、新標準、新工具和新方法等研究工作;
5.友商競品及專利分析,撰寫相關(guān)技術(shù)報告、論文、專利等材料;
6.橫向及縱向研發(fā)項目申請和驗收工作,作為研發(fā)項目負責人或者項目組成員完成指定的工作;
7.完成領(lǐng)導(dǎo)交待的其他工作。
任職要求:
1.博士,半導(dǎo)體物理、微電子學(xué)、材料物理、電子科學(xué)與技術(shù)、微波、通信等相關(guān)專業(yè)。
2.社招:3年以上的GaN、GaAs 射頻微波器件開發(fā)經(jīng)驗;校招:雙一流高校相關(guān)專業(yè)應(yīng)屆畢業(yè)生。
3.專業(yè)知識:
1)深刻理解半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)知識,熟悉半導(dǎo)體工藝原理、工藝流程以及相關(guān)工藝模塊;
2)了解HEMT、HBT等器件工作原理,以及相關(guān)可靠性機理;
3)熟悉射頻微波器件的測試評估,包含DC測試、小信號、大信號測試和分析;
4)對芯片可靠性設(shè)計、晶圓工藝、封裝、測試有深入理解,有芯片逆向工作分析經(jīng)驗者更佳;
5)良好的溝通能力和優(yōu)秀的團隊協(xié)作精神,誠實、好學(xué)、有責任心。