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職位描述

崗位職責(zé)： 1.負(fù)責(zé)CMOS產(chǎn)品相關(guān)單項(xiàng)工藝調(diào)試及整套工藝平臺的開發(fā)，制定工藝參數(shù)規(guī)范，完成開發(fā)目標(biāo)； 2.負(fù)責(zé)和模組溝通對CMOS平臺相關(guān)工藝進(jìn)行優(yōu)化以改善工藝窗口； 3.負(fù)責(zé)嵌入式存儲（eFlash）工藝開發(fā)和優(yōu)化； 4.主導(dǎo)BCD工藝開發(fā)和工藝優(yōu)化； 5.負(fù)責(zé)客戶新產(chǎn)品的導(dǎo)入與開發(fā)； 6.平臺技術(shù)開發(fā)相關(guān)的在線lot處理工作； 7.負(fù)責(zé)WAT測試程式建立，數(shù)據(jù)分析和DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)； 8.負(fù)責(zé)器件性能優(yōu)化，SRAM良率提升，可靠性驗(yàn)證等分析工作。 9.負(fù)責(zé)eFlash存儲器IP導(dǎo)入和工藝開發(fā)； 10.負(fù)責(zé)量產(chǎn)工藝和產(chǎn)品的工藝轉(zhuǎn)移、資料交接和后期技術(shù)支持； 任職要求： 1.學(xué)歷要求：本科及以上學(xué)歷，電子信息、微電子、物理、材料等理工科相關(guān)專業(yè)，具有半導(dǎo)體物理及器件物理、集成電路制造等相關(guān)知識儲備； 2.工作經(jīng)驗(yàn)： (1)5年以上半導(dǎo)體工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，至少3年MCU/SoC專項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)（55nm及以下節(jié)點(diǎn)）。 (2)精通以下至少兩個(gè)模塊：嵌入式存儲工（eFlash/MTP/EEPROM） 高壓器件集成（LDMOS/BCD） (3)有55nm MCU 車規(guī)工藝（IATF 16949）或工業(yè)級認(rèn)證經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 3.專業(yè)技能： (1)掌握核心工藝設(shè)備（光刻/刻蝕/離子注入）及電性測試工具（參數(shù)分析儀、晶圓探針臺）。 (2)熟悉CMOS工藝開發(fā)流程； (3)熟悉WAT Testkey 結(jié)構(gòu)和WAT電性分析方法； (4)理解MCU架構(gòu)及關(guān)鍵IP的工藝影響。 (5)熟練掌握項(xiàng)目管理方法，具備出色的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神與溝通能力； (6)有55nm及以下節(jié)點(diǎn)CMOS相關(guān)工藝 TD或PIE經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 4.語言能力： 具備良好的英語聽說寫能力；