職位描述
薄膜生長晶體材料仿真設計微波等離子體仿真電子設備制造
1.負責跟蹤行業(yè)材料發(fā)展及工藝（MPCVD）水平，根據(jù)客戶需求進行設備工藝開發(fā)、工藝實現(xiàn)及優(yōu)化提升。
2.熟悉金剛石化學氣相沉積（CVD）工藝，包括氣體配比（CH?/H?/O?等）、溫度控制（800~1200°C）、壓力調(diào)節(jié)等參數(shù)優(yōu)化。
3.了解金剛石成核、生長機制，單晶/多晶金剛石外延的工藝差異。
4.掌握金剛石薄膜缺陷（晶界、位錯、雜質(zhì)）的抑制方法，如基板預處理、緩沖層技術(shù)等。
5.熟悉原位監(jiān)測技術(shù)（如激光干涉儀、光譜分析）實時調(diào)控生長過程。
6.負責開展半導體材料生長原理與技術(shù)研究，通過仿真分析及工藝改進指導設備結(jié)構(gòu)開發(fā)及性能提升，負責專業(yè)領域的工藝文件編制。
7.參與支撐相關(guān)專業(yè)領域的項目申請、實施及驗收工作，支撐橫向市場開拓。
8.支撐國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）相關(guān)技術(shù)工作的開展。
9.完成領導交辦的其他工作。
2.熟悉金剛石化學氣相沉積（CVD）工藝，包括氣體配比（CH?/H?/O?等）、溫度控制（800~1200°C）、壓力調(diào)節(jié)等參數(shù)優(yōu)化。
3.了解金剛石成核、生長機制，單晶/多晶金剛石外延的工藝差異。
4.掌握金剛石薄膜缺陷（晶界、位錯、雜質(zhì)）的抑制方法，如基板預處理、緩沖層技術(shù)等。
5.熟悉原位監(jiān)測技術(shù)（如激光干涉儀、光譜分析）實時調(diào)控生長過程。
6.負責開展半導體材料生長原理與技術(shù)研究，通過仿真分析及工藝改進指導設備結(jié)構(gòu)開發(fā)及性能提升，負責專業(yè)領域的工藝文件編制。
7.參與支撐相關(guān)專業(yè)領域的項目申請、實施及驗收工作，支撐橫向市場開拓。
8.支撐國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）相關(guān)技術(shù)工作的開展。
9.完成領導交辦的其他工作。
獎金績效
五險一金，交通補貼，餐補
工作地點
長沙天心區(qū)中國電子科技集團公司(第四十八研究所)
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職位發(fā)布者
卓林琳/HR
三日內(nèi)活躍立即溝通
中電科第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新(湖南)有限公司中電科第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新（湖南）有限公司（簡稱公司）成立于2024年4月，是中國電子科技集團公司第四十八研究所、湖南高新創(chuàng)業(yè)投資集團有限公司和長沙麓谷投資發(fā)展有限公司共同出資設立的。公司是國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）的運營主體。重點聚焦第三代半導體裝備領域共性與前沿技術(shù)創(chuàng)新，瞄準重大前沿科學問題和行業(yè)瓶頸問題，開展裝備前沿技術(shù)領域的創(chuàng)新資源整合、前瞻性與共性技術(shù)創(chuàng)新、對內(nèi)對外成果轉(zhuǎn)化和市場化運營，解決一系列“卡脖子”問題和行業(yè)瓶頸；開展“鍛長板”關(guān)鍵技術(shù)和基礎共性技術(shù)研究，推動形成一批新技術(shù)、新裝備、新產(chǎn)品等創(chuàng)新成果，打通“科學變技術(shù)、技術(shù)變產(chǎn)品、產(chǎn)品變產(chǎn)業(yè)”創(chuàng)新鏈。為國產(chǎn)半導體裝備和第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供充足的創(chuàng)新能力供給。公司致力于在湖南打造以第三代半導體裝備創(chuàng)新為主的新型舉國體制，帶動第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，打造具有國際影響力的第三代半導體裝備創(chuàng)新高地，提升我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)領域的創(chuàng)新能力與核心競爭力，為服務國家重大戰(zhàn)略需求、產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展以及湖南區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展作出貢獻，有力支撐高水平科技自立自強、長沙構(gòu)建全球研發(fā)中心城市以及湖南省打造科技創(chuàng)新高地建設。
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