☆☆☆本崗位具體薪資面議☆☆☆
1、負(fù)責(zé)碳納米管溝道低維材料 CMOS 器件全流程工藝開發(fā)，包含工藝方案設(shè)計、DOE 實驗規(guī)劃、工藝調(diào)試與參數(shù)優(yōu)化，保障器件性能達(dá)標(biāo)。
2、主導(dǎo)光刻、刻蝕、薄膜沉積、金屬化、平坦化等核心工藝模塊的協(xié)同整合與工藝平臺搭建，推動工藝平臺迭代升級，負(fù)責(zé)中試線工藝驗證及量產(chǎn)轉(zhuǎn)化落地。
3、開展工藝方案可行性論證，識別工藝開發(fā)中的潛在風(fēng)險并制定管控、釋放策略，牽頭解決器件工藝開發(fā)中的關(guān)鍵技術(shù)難點與良率瓶頸。
4、制定工藝開發(fā)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)化文檔、工藝規(guī)范與操作 SOP，推動工藝體系落地；協(xié)同研發(fā)、設(shè)備、良率、測試等跨部門團(tuán)隊，保障工藝開發(fā)項目按節(jié)點推進(jìn)。
任職要求：
1、碩士及以上學(xué)歷，物理、材料科學(xué)與工程、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、半導(dǎo)體工藝、化學(xué)等相關(guān)專業(yè)背景，優(yōu)先低維材料 / 碳納米管 / 先進(jìn) CMOS 器件相關(guān)研究方向。
2、2 年及以上半導(dǎo)體 fab 工藝整合 / 器件工藝開發(fā)實戰(zhàn)經(jīng)驗，熟悉 fab 核心工藝模塊原理及實操流程；有碳納米管 / 二維材料器件工藝或先進(jìn) CMOS（FinFET/GFET 等）工藝開發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先，掌握工藝整合思路、DOE 實驗設(shè)計及數(shù)據(jù)復(fù)盤方法。
3、具備碳納米管材料相關(guān)工藝認(rèn)知，了解碳納米管純化、沉積、圖案化、溝道制備等關(guān)鍵工藝者優(yōu)先，能獨立分析器件工藝與性能的關(guān)聯(lián)關(guān)系。
4、具備優(yōu)秀的跨部門溝通協(xié)調(diào)與團(tuán)隊協(xié)作能力，邏輯思維清晰，問題推動與解決能力強(qiáng)，能承受工藝開發(fā)項目的工作壓力，具備良好的項目管理意識。