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更新于 10月21日

半導(dǎo)體工藝技術(shù)員

6000-7000元·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 經(jīng)驗(yàn)不限
  • 大專
  • 全職
  • 招1人

職位描述

光刻工藝蝕刻工藝清洗工藝曝光工藝顯影工藝研磨工藝金屬工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位內(nèi)容:
1. 開發(fā)和提高生產(chǎn)過程中的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。
2. 實(shí)施和管理半導(dǎo)體制程改進(jìn)項(xiàng)目。
3. 指導(dǎo)和培訓(xùn)半導(dǎo)體工藝制程人員。
4. 根據(jù)生產(chǎn)計(jì)劃制定和優(yōu)化工藝參數(shù),確保生產(chǎn)的質(zhì)量和效率。
任職要求:
1. 專科及以上學(xué)歷,微電子、材料科學(xué)等相關(guān)專業(yè)。
2. 在半導(dǎo)體行業(yè)從事工藝方面工作的經(jīng)驗(yàn),對半導(dǎo)體工藝有深入的了解。
3. 較強(qiáng)的組織協(xié)調(diào)、溝通和團(tuán)隊(duì)管理能力。
4. 具備較好的英文閱讀和書寫能力。

工作地點(diǎn)

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

職位發(fā)布者

葉先生/招聘專員

剛剛活躍
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公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行,計(jì)劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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