職位描述
FLASH工藝制程電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)
1.負(fù)責(zé)量產(chǎn)工藝的維護(hù)和良率提升
2.負(fù)責(zé)新工藝的開發(fā)和良率提升
3.配合質(zhì)量部的客訴處理
4.配合CP測(cè)試調(diào)試,SPEC制定和優(yōu)化
5.FAB技術(shù)接口
新工藝和特殊器件的開發(fā)和良率維護(hù)
存儲(chǔ)工藝的量產(chǎn)驗(yàn)證和維護(hù)
主要挑戰(zhàn)
1.FAB技術(shù)接口，需要對(duì)接FAB各部門工程人員和協(xié)調(diào)內(nèi)部各部門資源
2.新工藝的開發(fā),性能參數(shù)與可靠性的優(yōu)化
基本要求
1. 電子或微電子等相關(guān)專業(yè)，大學(xué)本科及以上學(xué)歷
2. 英語(yǔ)聽說(shuō)讀寫能力,4級(jí)以上
3. 2年以上FAB產(chǎn)品相關(guān)經(jīng)驗(yàn)
4. 有FLASH產(chǎn)品相關(guān)的經(jīng)驗(yàn)為佳，了解基本FLASH工藝FLOW
5. 工作責(zé)任心強(qiáng)，團(tuán)隊(duì)意識(shí)強(qiáng)，客戶意識(shí)強(qiáng)，溝通能力強(qiáng)
特殊要求
1、JMP等數(shù)據(jù)分析軟件的使用
2、量產(chǎn)良率數(shù)據(jù)分析經(jīng)驗(yàn)
1.負(fù)責(zé)量產(chǎn)工藝的維護(hù)和良率提升
2.負(fù)責(zé)新工藝的開發(fā)和良率提升
3.配合質(zhì)量部的客訴處理
4.配合CP測(cè)試調(diào)試,SPEC制定和優(yōu)化
5.FAB技術(shù)接口
新工藝和特殊器件的開發(fā)和良率維護(hù)
存儲(chǔ)工藝的量產(chǎn)驗(yàn)證和維護(hù)
主要挑戰(zhàn)
1.FAB技術(shù)接口，需要對(duì)接FAB各部門工程人員和協(xié)調(diào)內(nèi)部各部門資源
2.新工藝的開發(fā),性能參數(shù)與可靠性的優(yōu)化
基本要求
1. 電子或微電子等相關(guān)專業(yè)，大學(xué)本科及以上學(xué)歷
2. 英語(yǔ)聽說(shuō)讀寫能力,4級(jí)以上
3. 2年以上FAB產(chǎn)品相關(guān)經(jīng)驗(yàn)
4. 有FLASH產(chǎn)品相關(guān)的經(jīng)驗(yàn)為佳，了解基本FLASH工藝FLOW
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特殊要求
1、JMP等數(shù)據(jù)分析軟件的使用
2、量產(chǎn)良率數(shù)據(jù)分析經(jīng)驗(yàn)
工作地點(diǎn)
浦東新區(qū)普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司
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普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司是專注于汽車、工業(yè)及消費(fèi)類應(yīng)用的超低功耗Flash存儲(chǔ)器、高安全Flash存儲(chǔ)器、高可靠性EEPROM存儲(chǔ)器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高性能磁傳感芯片的無(wú)自有晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司成立于2012年，總部位于上海張江高科技園區(qū)，在深圳南山科技園新區(qū)設(shè)有銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用服務(wù)與支持中心。作為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新者，普冉推出業(yè)界領(lǐng)先的55nm超低功耗NOR Flash Memory，具備100nA休眠功耗和小于5mA擦寫讀功耗，廣泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家電、太陽(yáng)能和車載娛樂(lè)領(lǐng)域。新一代110nm非易失性EEPROM存儲(chǔ)器具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的400萬(wàn)次擦寫壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗，在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。普冉配合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)開發(fā)的40-55nm高安全Flash產(chǎn)品也成為國(guó)內(nèi)金融IC產(chǎn)品打破國(guó)外壟斷的先行者和貢獻(xiàn)者。普冉致力于成為世界領(lǐng)先的利基市場(chǎng)非易失存儲(chǔ)器芯片及新型存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司。
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