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更新于 7月30日

產(chǎn)品工程師-Nand/Flash

2-4萬(wàn)·14薪
  • 上海浦東新區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

NANDFlash良率
崗位職責(zé)
1.負(fù)責(zé)測(cè)試流程及測(cè)試方案的定義和管控。
2.負(fù)責(zé)測(cè)試數(shù)據(jù)的收集、分析、匯總和報(bào)告。
3.負(fù)責(zé)測(cè)試異常產(chǎn)品的在線分析和處置。
4.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品的導(dǎo)入驗(yàn)證。
5.協(xié)助完善質(zhì)量系統(tǒng)管理并完成相關(guān)文檔工作。
6.協(xié)助配合市場(chǎng)銷售及質(zhì)量部門導(dǎo)入新的客戶和既有客戶的技術(shù)支持和客訴處理
主要挑戰(zhàn)
1.通過(guò)DOE 數(shù)據(jù)分析持續(xù)保證良率的穩(wěn)定以及不斷降低PPM 失效率。
2.良好的溝通能力能夠跨部門協(xié)調(diào)處理產(chǎn)品異常。
3.NAND Flash 產(chǎn)品線新產(chǎn)品導(dǎo)入,良率提升。
4.NAND Flash 產(chǎn)品線新客戶導(dǎo)入,可靠性持續(xù)改進(jìn)。
基本要求
1.微電子,電子電路相關(guān)專業(yè)優(yōu)先,碩士及以上學(xué)歷;有半導(dǎo)體行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。
2.熟練使用各類軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。
3.具有讀寫英文技術(shù)文檔的能力。
4.有責(zé)任心,積極主動(dòng),認(rèn)真仔細(xì),學(xué)習(xí)能力和動(dòng)手能力強(qiáng)。
5.服從管理,有團(tuán)隊(duì)意識(shí),良好的溝通協(xié)調(diào),以及口頭和書面表達(dá)能力。
6.具備半導(dǎo)體測(cè)試開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。
7.具備Flash 產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)歷。
8.具備NAND Flash 相關(guān)產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)。

工作地點(diǎn)

浦東新區(qū)普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

職位發(fā)布者

徐先生/HR

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公司Logo普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司
普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司是專注于汽車、工業(yè)及消費(fèi)類應(yīng)用的超低功耗Flash存儲(chǔ)器、高安全Flash存儲(chǔ)器、高可靠性EEPROM存儲(chǔ)器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高性能磁傳感芯片的無(wú)自有晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司成立于2012年,總部位于上海張江高科技園區(qū),在深圳南山科技園新區(qū)設(shè)有銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用服務(wù)與支持中心。作為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新者,普冉推出業(yè)界領(lǐng)先的55nm超低功耗NOR Flash Memory,具備100nA休眠功耗和小于5mA擦寫讀功耗,廣泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家電、太陽(yáng)能和車載娛樂(lè)領(lǐng)域。新一代110nm非易失性EEPROM存儲(chǔ)器具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的400萬(wàn)次擦寫壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗,在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。普冉配合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)開發(fā)的40-55nm高安全Flash產(chǎn)品也成為國(guó)內(nèi)金融IC產(chǎn)品打破國(guó)外壟斷的先行者和貢獻(xiàn)者。普冉致力于成為世界領(lǐng)先的利基市場(chǎng)非易失存儲(chǔ)器芯片及新型存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司。
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