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更新于 6月12日

TCAD工藝仿真工程師

2.5-3.5萬·15薪
  • 北京通州區(qū)
  • 1-3年
  • 碩士
  • 全職
  • 招1人

職位描述

電子/半導體/集成電路
崗位職責:
1.負責新型晶體管器件的結構設計,電學特性仿真。
2.負責工藝仿真模擬,包含虛擬光刻,虛擬刻蝕,虛擬薄膜的工藝模型的建立。
3.與設計、器件、工藝整合等部門的合作,提供基于全工藝流程的工藝仿真接口。
4.完成研究院在存儲器方面相關知識產(chǎn)權的布局,如申報科技項目、申請專利、發(fā)表文章等。
任職要求:
1.微電子、凝聚態(tài)物理、物理電子學等相關專業(yè),碩士及以上學歷,具有扎實的固體物理、半導體物理、半導體器件物理基礎,2年及以上相關工作經(jīng)驗。
2.熟練使用半導體器件仿真設計軟件(Sentaurus TCAD、Silvaco等)。
3.熟悉CMOS器件(其他半導體器件也可以)先進技術節(jié)點,例如28nm、14nm、7nm的工藝制造流程。

工作地點

北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)

職位發(fā)布者

王雅璇/HR

三日內(nèi)活躍
立即溝通
公司Logo北京超弦存儲器研究院
北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學研合作平臺,研究院聚焦國際先進的存儲器技術研發(fā)和高端人才培養(yǎng),致力于實現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片制造技術的持續(xù)迭代,努力成長為世界存儲器芯片的技術創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術的尺寸微縮,在DRAM新架構、新材料、新工藝、先進封裝、先進光刻技術、近存計算和高帶寬存儲等領域,對未來DRAM量產(chǎn)技術可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機存儲器、銦鎵鋅氧場效應晶體管動態(tài)隨機存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結構的存儲器制造技術;基于混合鍵合技術的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內(nèi)計算等芯片的設計和制造;以及先進DRAM制造中的關鍵光刻技術和設計技術方法學研究等。研究院擁有12英寸先進DRAM研發(fā)所需的硬件條件,包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎工藝和一系列由特種裝備構成的短流程特色工藝;設計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺;以及具有豐富的芯片工藝和設計研發(fā)經(jīng)驗的技術團隊。研究院與清華大學、北京大學、中國科學院微電子研究所等國內(nèi)外領先的高校院所和集成電路行業(yè)領軍企業(yè)建立了緊密的合作關系,開展基于項目的研發(fā)合作。同時,研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作,為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓平臺。
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