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更新于 4月24日

多尺度模擬仿真工程師

2.5-3.5萬·15薪
  • 北京通州區(qū)
  • 經驗不限
  • 博士
  • 全職
  • 招1人

職位描述

結構仿真材料仿真
崗位職責:
1.金屬氧化物等新材料的第一性原理計算,分子動力學模擬仿真。主要研究原子構型、缺陷、雜質等對材料電子結構的影響;
2.半導體器件、工藝、可靠性建模、仿真、分析;
3.對實驗數據進行建模分析(統(tǒng)計模型,機器學習)。
任職要求:
1.凝聚態(tài)物理專業(yè)或微電子專業(yè)博士學歷;
2.熟練掌握第一性原理、分子動力學相關方法和計算軟件;
3.對半導體器件物理和工藝有深入了解;
4.有較強的數據建模和分析能力;
5.了解常用的統(tǒng)計模型、機器學習模型;
6.有材料表征、電學測試實驗經驗是加分項;
7.若為在崗博后,2024年7-9月出站為佳。

工作地點

北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)

職位發(fā)布者

王雅璇/HR

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公司Logo北京超弦存儲器研究院
北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經濟技術開發(fā)區(qū)成立。作為產學研合作平臺,研究院聚焦國際先進的存儲器技術研發(fā)和高端人才培養(yǎng),致力于實現(xiàn)國產存儲器芯片制造技術的持續(xù)迭代,努力成長為世界存儲器芯片的技術創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術的尺寸微縮,在DRAM新架構、新材料、新工藝、先進封裝、先進光刻技術、近存計算和高帶寬存儲等領域,對未來DRAM量產技術可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機存儲器、銦鎵鋅氧場效應晶體管動態(tài)隨機存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結構的存儲器制造技術;基于混合鍵合技術的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內計算等芯片的設計和制造;以及先進DRAM制造中的關鍵光刻技術和設計技術方法學研究等。研究院擁有12英寸先進DRAM研發(fā)所需的硬件條件,包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎工藝和一系列由特種裝備構成的短流程特色工藝;設計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺;以及具有豐富的芯片工藝和設計研發(fā)經驗的技術團隊。研究院與清華大學、北京大學、中國科學院微電子研究所等國內外領先的高校院所和集成電路行業(yè)領軍企業(yè)建立了緊密的合作關系,開展基于項目的研發(fā)合作。同時,研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作,為產業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓平臺。
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