崗位職責(zé)：
1. 負(fù)責(zé)硅電容（含MIM/MOS/溝槽結(jié)構(gòu)）及集成無源器件（IPD）的產(chǎn)品研發(fā)與設(shè)計(jì)，包括器件結(jié)構(gòu)開發(fā)、仿真建模、版圖設(shè)計(jì)及性能驗(yàn)證方案制定。
2. 負(fù)責(zé)硅電容相關(guān)工藝開發(fā)與優(yōu)化，對接工藝產(chǎn)線完成介質(zhì)層、金屬電極沉積及刻蝕等關(guān)鍵工藝的DOE實(shí)驗(yàn)，推進(jìn)量產(chǎn)導(dǎo)入與良率提升。
3. 負(fù)責(zé)硅電容產(chǎn)品的性能測試與失效分析，針對高頻特性（ESR/ESL、自諧振頻率）、穩(wěn)定性（溫度/偏壓影響）等核心指標(biāo)開展驗(yàn)證，解決研發(fā)及量產(chǎn)過程中的技術(shù)問題。
4. 對接客戶需求，提供硅電容在高頻通信、高性能計(jì)算、汽車電子等場景的應(yīng)用解決方案。
5. 編制產(chǎn)品技術(shù)文檔，包括 datasheet、研發(fā)報(bào)告、工藝規(guī)范、測試標(biāo)準(zhǔn)等，推動產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化落地。
6. 跟蹤行業(yè)技術(shù)趨勢，調(diào)研硅電容等集成無源器件相關(guān)新技術(shù)、新工藝，主導(dǎo)產(chǎn)品迭代與技術(shù)創(chuàng)新。