崗位職責(zé):
1.定位DRAM芯片中對(duì)器件特性敏感的關(guān)鍵電路;
2.對(duì)電路進(jìn)行分析建立關(guān)聯(lián)電路性能到器件特性的簡(jiǎn)約模型;
3.設(shè)計(jì)Testkey 對(duì)關(guān)鍵電路電學(xué)特征進(jìn)行測(cè)量;
4.結(jié)合PDK仿真以及Silicon數(shù)據(jù)對(duì)關(guān)鍵的技術(shù)問題做出判斷,并提供優(yōu)化方案。
任職要求:
1.碩士及以上學(xué)歷,微電子、物理專業(yè)優(yōu)先;
2.熟練使用Virtuso及其仿真,以及TCAD、Matlab/Python其中一種優(yōu)先;
3.從事半導(dǎo)體器件研發(fā)仿真\設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化\存儲(chǔ)芯片相關(guān)設(shè)計(jì)驗(yàn)證工作優(yōu)先;
4.精通器件物理以及熟悉關(guān)鍵器件工藝;
5.熟悉半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)流程,熟悉PDK;
6.有一定模擬電路或數(shù)?;旌想娐坊A(chǔ)。