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崗位職責：
1. 測試執(zhí)行：負責功率半導(dǎo)體器件（IGBT， MOSFET， SiC， GaN等）的可靠性測試與評估，包括但不限于HTRB（高溫反向偏壓）、H3TRB（高溫高濕反偏）、TC（溫度循環(huán)）、PCT（高壓蒸煮）、HTGB（高溫柵極偏壓）等測試項目。
2. 方案實施：根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格和可靠性標準（JESD22,AEC-Q101等），協(xié)助制定并執(zhí)行詳細的測試計劃與方案。
3. 設(shè)備操作：熟練操作和維護各類可靠性測試設(shè)備，如高溫箱、溫濕度箱、溫度循環(huán)箱、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、示波器、動態(tài)測試系統(tǒng)等。
4. 數(shù)據(jù)分析：準確記錄測試數(shù)據(jù)，運用專業(yè)工具進行數(shù)據(jù)分析，識別器件失效模式，并撰寫清晰、準確的測試報告。
5. 問題反饋：及時反饋測試過程中的異常情況，并與研發(fā)、質(zhì)量團隊緊密協(xié)作，參與失效分析，定位問題根源。
6. 文檔管理：維護測試相關(guān)的標準操作程序、記錄表單和技術(shù)文檔，確保測試活動的可追溯性。
任職要求：
1. 學歷專業(yè)：大專及以上學歷，微電子、電子工程、電氣工程、自動化、材料物理等相關(guān)專業(yè)。
2. 經(jīng)驗背景：應(yīng)屆畢業(yè)生或擁有1-3年半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)工作經(jīng)驗,對功率半導(dǎo)體器件的基本原理和特性有初步了解。
3. 技能素養(yǎng)：
具備良好的動手能力和學習能力，能快速掌握測試設(shè)備操作。
工作認真負責，嚴謹細致，有強烈的責任心和團隊合作精神。
具備基礎(chǔ)的英語閱讀能力，能夠看懂簡單的技術(shù)文檔。
有良好的解決問題的能力。
優(yōu)先考慮：
1. 有半導(dǎo)體fab或測試實驗室實習或工作經(jīng)歷者優(yōu)先。
2. 熟悉JEDEC、AEC-Q101等可靠性測試標準者優(yōu)先。
3. 了解數(shù)據(jù)分析軟件（如JMP,Minitab, Excel等）進行基礎(chǔ)數(shù)據(jù)處理者優(yōu)先。
4. 熟悉CNAS審核流程優(yōu)先