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1. 負(fù)責(zé)芯片模塊級(jí)物理實(shí)現(xiàn)，包括布圖布局，時(shí)鐘樹設(shè)計(jì)和繞線，解決模塊的時(shí)序，擁塞等后端實(shí)現(xiàn)問題； 2. 參與評(píng)估和優(yōu)化芯片的面積，性能，功耗和物理可實(shí)現(xiàn)性； 3. 參與開發(fā)和完善物理實(shí)現(xiàn)的環(huán)境和流程。

崗位要求：

1. 芯片級(jí)STA signoff,包括參數(shù)提取，標(biāo)準(zhǔn)制定，si分析，時(shí)序把關(guān)與修復(fù)； 2. 芯片級(jí)EMIR，功耗分析。包括標(biāo)準(zhǔn)制定，violation修復(fù)等； 3. 芯片級(jí)PV，物理版圖修改與驗(yàn)證，包括ERC,DRC,LVS,PERC,DFM等； 4. TOP實(shí)現(xiàn)，包括top partition，bump assign，RDL routing，ESD，IO place，SSO檢查，CTS等； 5. 復(fù)雜block實(shí)現(xiàn)，比如CPU，DDR，PCIE等。 以上五項(xiàng)至少滿足一項(xiàng)。 經(jīng)驗(yàn)要求： 1. 五年以上芯片后端工作經(jīng)驗(yàn)，至少負(fù)責(zé)過1個(gè)項(xiàng)目的全芯片級(jí)STA，PV或PA工作； 2. 有主流Foundry廠家(TSMC,Samsung,GlobalFoundry.UMC,SMIC)的12nm及以下的工藝節(jié)點(diǎn)流片經(jīng)驗(yàn)。