崗位職責(zé):
1. 開展先進(jìn)器件與芯片的輻照損傷多尺度動(dòng)力學(xué)理論與電-熱-輻射同源性理論研究,發(fā)展基于人工智能的輻照性能退化預(yù)測(cè)模型,實(shí)現(xiàn)芯片抗輻照能力的高通量、高精度仿真預(yù)測(cè)與可靠性評(píng)估;
2. 開展基于低維材料的異質(zhì)集成技術(shù)研究,聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝協(xié)同創(chuàng)新研究,顯著提升器件與電路的電學(xué)性能與抗輻照能力;
3. 負(fù)責(zé)特種器件及先進(jìn)器件工作機(jī)理及模型研究;
4. 申請(qǐng)相關(guān)科研項(xiàng)目,發(fā)表高水平論文,負(fù)責(zé)團(tuán)隊(duì)建設(shè)等工作;
5. 完成領(lǐng)導(dǎo)交辦的其他任務(wù)。
崗位要求:
1. 微電子、電子、材料等相關(guān)專業(yè)背景,博士研究生;
2. 熟悉先進(jìn)MOS器件工藝流程,能夠借助TCAD軟件開展器件工藝仿真、電熱特性研究;
3. 能夠熟練使用相關(guān)器件測(cè)試設(shè)備及TCAD仿真軟件與參數(shù)提取軟件等;
4. 有參與科研項(xiàng)目的經(jīng)歷,熟悉項(xiàng)目申報(bào)、實(shí)施、結(jié)題等流程;
5. 具備良好的技術(shù)文檔及中英文文獻(xiàn)讀寫能力;
6. 具有責(zé)任心、邏輯分析能力、創(chuàng)新精神,具備良好的溝通及團(tuán)隊(duì)合作能力。